SiC silisyum karbür, karbon ve silikon elementlerden oluşan bileşik bir yarı iletken malzemedir. Yüksek sıcaklık, yüksek frekans, yüksek güç ve yüksek gerilim cihazlarının yapımı için ideal malzemelerden biridir.
Silisyum karbür hammaddelerinin temel avantajları şu şekilde yansıtılmaktadır:
(1) Yüksek voltaj direnci: daha düşük empedans, daha geniş bant aralığı, daha büyük akım ve voltaja dayanabilir, bu da daha küçük boyutlu ürün tasarımına ve daha yüksek verimliliğe yol açar;
(2) Yüksek frekans direnci: Kapatma işlemi sırasında SiC cihazlarında, bileşenin anahtarlama hızını etkili bir şekilde artırabilen (Si'nin yaklaşık 3-10 katı) akım kuyruğu olgusu yoktur ve aşağıdakiler için uygundur: daha yüksek frekanslar ve daha hızlı anahtarlama hızları. ;
(3) Yüksek sıcaklık dayanımı: SiC, silikondan daha yüksek termal iletkenliğe sahiptir ve daha yüksek sıcaklıklarda çalışabilir.
Geleneksel silikon malzeme (Si) ile karşılaştırıldığında, silikon karbürün (SiC) bant aralığı silikonun bant aralığının 3 katıdır; termal iletkenlik silikonunkinin 4-5 katıdır; arıza voltajı silikonunkinin 8-10 katıdır; ve elektron doygunluğu sürüklenme hızı silikonunkinin 2-3 katıdır.
